CMP抛光垫，预测期内复合年增长率为8.3%
化学机械抛光/平坦化（CMP）是一种通过化学作用与机械（或研磨）作用相结合来去除材料，从而获得高度光滑和平整材料表面的工艺。该工艺在半导体行业中作为标准制造流程，用于制造集成电路和存储磁盘。当以去除表面材料为目的时称为化学机械抛光，而以表面平坦化为目的时则称为
机械抛光
化学机械抛光需求带动二氧化硅CMP浆料（SiO2-CMP浆料）市场前景
二氧化硅CMP浆料（SiO2-CMP浆料），是化学机械抛光浆料的一种，是使用纯度99.999%以上、粒径在20-20nm之间的二氧化硅作为研磨颗粒，再添加pH值调节剂、分散剂、稳定剂等助剂制造而成的应用在化学机械抛光领域的浆料。
CMP，逐梦混合键合!
本次分享的报告全面概述了半导体制造中用于混合键合（Hybrid Bonding）的化学机械抛光（CMP）技术。CMP 被定义为一种结合化学与机械作用以实现薄膜平坦化的关键技术。报告深入探讨了 CMP 在混合键合中的作用，强调了其在实现可控凹陷和表面粗糙度方面的